短期內(nèi)TOPCon及P-IBC共同發(fā)展，長(zhǎng)期HJT技術(shù)有望形成統(tǒng)一路線。

1 發(fā)展歷史：你追我趕，各項(xiàng)電池技術(shù)紛紛實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化

電池技術(shù)的發(fā)展必然要經(jīng)歷實(shí)驗(yàn)室階段，小試階段，中試階段才能最終達(dá)到 產(chǎn)業(yè)化階段。TOPcon 和 HJT 是目前行業(yè)內(nèi)兩種以 N 型硅片為基底的主流技術(shù)， 兩者相比各有優(yōu)劣勢(shì)，經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，均已進(jìn)入量產(chǎn)轉(zhuǎn)化階段。其中 Topcon 由于與現(xiàn)有的 PERC 電池產(chǎn)線具有良好的兼容性，技術(shù)工藝上相對(duì)更加成熟穩(wěn)定， 已經(jīng)具備性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。

HJT 作為一種與現(xiàn)有產(chǎn)線不兼容的全新電池結(jié)構(gòu)，效率起 點(diǎn)高，未來(lái)提升空間大，但當(dāng)前還面臨成本壓力問(wèn)題。

P-IBC 技術(shù)是 P 型高效技 術(shù)的延續(xù)，它結(jié)合了 PERC 電池，TOPcon 電池和 IBC 電池的結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)，將 P 型 電池的效率潛力發(fā)揮到最大，成本優(yōu)勢(shì)突出，目前也已具備量產(chǎn)性價(jià)比。

TOPCon 電池：全稱隧穿氧化層鈍化接觸電池(Tunnel Oxide Passivating Contacts)，是一種使用超薄隧穿氧化層和摻雜多晶硅層作為鈍化層結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)電池，同時(shí)兼具良好的接觸性能，可以極大地提升太陽(yáng)能電池的效率。

發(fā)展歷史：2013 年德國(guó) Fraunhofer 研究所在 N 型 PERT 結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，首次提 出 TOPCon 結(jié)構(gòu);2017 年 Fraunhofer 研究所在實(shí)驗(yàn)室 TOPcon 電池上取得 25.8% 的效率記錄;2019 年，天合光能在面積為 244.62 平方厘米的 n 型襯底上制備出 正面最高效率為 24.58%的實(shí)驗(yàn)室電池，并獲德國(guó)哈梅林太陽(yáng)能研究所(ISFH) 下屬的檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室認(rèn)證，同年，天合光能 i-TOPCon 雙面電池大規(guī)模量產(chǎn)正面平 均轉(zhuǎn)換效率突破 23%。2021 年，晶科能源 TOPcon 電池在權(quán)威第三方測(cè)試認(rèn)證機(jī) 構(gòu)日本 JET 檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室標(biāo)定全面積電池最高轉(zhuǎn)化效率達(dá)到 25.4%，成為商業(yè)化全 面積電池效率記錄的保持者，為后續(xù)的 N 型 TOPCon 電池的擴(kuò)產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

HJT 電池：傳統(tǒng)晶體硅太陽(yáng)電池的 p-n 結(jié)都是由導(dǎo)電類型相反的同一種材料 ——晶體硅組成的，屬于同質(zhì)結(jié)電池。而異質(zhì)結(jié)(heterojunction，HJT)就是指由兩種不同的半導(dǎo)體材料組成的結(jié)。其工作基本原理與普通太陽(yáng)能電池相同，都是 利用 PN 結(jié)的原理產(chǎn)生光生電流，不同的是 HJT 電池的發(fā)射級(jí)是一層非常薄的非 晶硅層，然而由于非晶硅本身的特性以及晶格失配產(chǎn)生的缺陷，使得產(chǎn)生的載流 子在接觸表面附近很容易復(fù)合，因此要在晶體硅和非晶硅之間添加一層本征非晶 硅薄層來(lái)減小載流子的復(fù)合。

發(fā)展歷史：從上世紀(jì) 80 年代，實(shí)驗(yàn)室就開始研究晶體硅和非晶硅疊加的電 池，1990 年最先由日本的三洋公司提出異質(zhì)結(jié)的基本結(jié)構(gòu)，2015 年三洋的 HJT 專利保護(hù)結(jié)束，專利壁壘消除，國(guó)內(nèi)外電池企業(yè)開始大力發(fā)展和推廣 HJT 量產(chǎn)化 技術(shù)，2015-2020 年間，國(guó)內(nèi)光伏企業(yè)快速發(fā)展，國(guó)產(chǎn)電池制造裝備崛起，光伏量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)的中心由歐洲轉(zhuǎn)移至中國(guó)，早期的技術(shù)積累疊加光伏設(shè)備成本大幅 降低，為異質(zhì)結(jié)的量產(chǎn)化發(fā)展鋪平道路，漢能，中智，通威，阿特斯，邁為，東 方日升，華晟，隆基等成為國(guó)內(nèi) HJT領(lǐng)先企業(yè)。

2021年 6月初，隆基綠能公布其 量產(chǎn) HJT 轉(zhuǎn)化效率達(dá)到 25.26%;10 月，隆基再次刷新 HJT 電池效率記錄，實(shí)驗(yàn)室效率達(dá)到 26.3%，是異質(zhì)結(jié)電池的一大突破。2022 年隆基在全尺寸(M6 尺寸， 面積 274.3cm)單晶硅片上，創(chuàng)造了轉(zhuǎn)換效率為 25.47%的大尺寸 P 型光伏電池效 率世界紀(jì)錄，進(jìn)一步驗(yàn)證了低成本異質(zhì)結(jié)量產(chǎn)技術(shù)的可行性。

IBC 電池發(fā)展歷史：IBC 電池早最是由 Lammert 和 Schwartz 在 1975 年提出 的背面指交叉式電池結(jié)構(gòu)。美國(guó)的 Sunpower 公司是 IBC 電池的領(lǐng)軍者和開拓者， 2014 年其量產(chǎn)平均效率就達(dá)到 23.62%，2015 年實(shí)驗(yàn)室效率達(dá)到 25.2%;2018 年 天合研發(fā)的大面積 IBC 電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 25.04%;2019 年 5 月中來(lái)公司宣布已 經(jīng)可以實(shí)現(xiàn) IBC 電池的批量生產(chǎn)，年產(chǎn)能約 150MW,量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率 22.8%，最高效率 23.4%。2020 年 5 月國(guó)電投黃河水電 200MW N 型 IBC 產(chǎn)線建設(shè)完成，量產(chǎn)平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 23.6%。IBC 電池與其他新電池技術(shù)相疊加，可以獲得更高的 轉(zhuǎn)換效率，2017 年 3 月，日本 Kaneka 公司通過(guò)將 HJT 和 IBC 電池技術(shù)疊加，得 到 HBC 電池，效率達(dá)到 26.7%，目前這項(xiàng)效率記錄已經(jīng)保持 5 年之久。

2 電池結(jié)構(gòu)：新型電池結(jié)構(gòu)決定電池效率

光伏電池的結(jié)構(gòu)是影響電池效率的關(guān)鍵因素，PN 結(jié)是光伏發(fā)電的核心，基 底上下不同的膜層，根據(jù)原理的不同，均起到了提升發(fā)電效率的作用。光伏電 池中常用的膜層包括氮化硅膜，氧化鋁膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明導(dǎo)電膜 等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等電池技術(shù)通過(guò)使用不同的膜層來(lái)達(dá)到提效 目的。

氮化硅膜：減反作用和鈍化作用。減反射膜原理在于利用光在不同界面處的 反射進(jìn)行干涉相消。當(dāng)膜層的光學(xué)厚度為某一波長(zhǎng)的 1/4 時(shí)，則利用光波 180°的 相位差可以進(jìn)行疊加相消，氮化硅的折射率為 1.9，是最佳的電池減反膜材料。此外，氮化硅膜在制備的過(guò)程中可引入大量的氫原子，經(jīng)退火后起到良好的氫鈍 化作用。

氧化鋁膜：鈍化作用。硅片在生長(zhǎng)時(shí)硅原子的周期性被打亂而產(chǎn)生懸空鍵， 容易形成復(fù)合中心，從而降低電池效率。氧化鋁具有較高的固定負(fù)電荷密度，可 以大幅減少少數(shù)載流子到達(dá)表層，另一方面也扮演著氫原子存儲(chǔ)的作用，在熱處 理時(shí)可提供充足的氫原子，通過(guò)飽和懸空鍵來(lái)弱化界面電子態(tài)。

二氧化硅+摻雜多晶硅：隧穿作用和鈍化作用。二氧化硅隧穿膜最佳厚度在 1.2nm,其作用在于使多數(shù)載流子(電子)通過(guò)隧穿效應(yīng)穿過(guò)氧化層，但少數(shù)載流 子(空穴)被阻擋，從而進(jìn)一步降低了載流子復(fù)合效應(yīng)。摻雜多晶硅層一方面起到保護(hù)二氧化硅層的作用，另一方面會(huì)增加電子或空穴在氧化硅中的隧穿概率， 因此，多晶硅層的摻雜濃度越高，太陽(yáng)能電池的開路電壓和效率就越高。

氫化非晶硅膜：鈍化作用和 PN 結(jié)作用。氫化非晶硅膜與晶體硅基底之間能 夠形成良好的界面鈍化，主要應(yīng)用在異質(zhì)結(jié)電池中，由于非晶硅層內(nèi)存在H鍵， 可以飽和其內(nèi)部懸掛鍵，對(duì)異質(zhì)結(jié)界面進(jìn)行鈍化從而減少界面缺陷對(duì)載流子的復(fù) 合，有效載流子數(shù)量增多，組件能獲得更高的開路電壓。HJT 電池由于在 PN 結(jié) 成結(jié)的同時(shí)完成了單晶硅的表面鈍化，大大降低了表面、界面漏電流，電池效率較傳統(tǒng)晶硅電池有較大幅度的提升。

3 工藝步驟：生產(chǎn)工藝決定量產(chǎn)難度

電池結(jié)構(gòu)的復(fù)雜程度決定了電池量產(chǎn)的工藝步驟，同時(shí)也決定了設(shè)備投資成 本，生產(chǎn)良率，產(chǎn)線兼容性以及量產(chǎn)難易程度。光伏電池的生產(chǎn)工藝主要包括清 洗制絨，由于不同電池技術(shù)的結(jié)構(gòu)存在差異，生產(chǎn)工藝也不盡相同。從生產(chǎn)步驟 上來(lái)看工藝步驟由少到多分別為 HJT, BSF, PERC, P-IBC, TOPcon，從兼容性上來(lái) 看同質(zhì)結(jié)電池 PERC, TOPcon, P-IBC 電池之間兼容性較強(qiáng)，HJT 電池由于采用異 質(zhì)結(jié)的創(chuàng)新性結(jié)構(gòu)，工藝上不具備兼容性。電池制備的基礎(chǔ)工藝包括清洗制絨，擴(kuò)散，清洗刻蝕，鍍膜，激光開槽，絲 印燒結(jié)等步驟。

(1) 清洗制絨

由于硅片在切割過(guò)程中表面會(huì)產(chǎn)生大量的油污，金屬污染和機(jī)械損傷，因此 要對(duì)硅片進(jìn)行酸洗(多晶)或者堿洗(單晶)，利用各向同行和各向異性原理對(duì) 硅片表面進(jìn)行腐蝕，去除硅片表面機(jī)械損傷層;清除表面油污和金屬雜質(zhì)，形成 潔凈表面;形成起伏不平的絨面，使入射光在表面進(jìn)行多次反射和折射，延長(zhǎng)光 程，減少光學(xué)損失，金剛線切割硅片經(jīng)過(guò)清洗制絨后表面反射率可從50%降低至 15%以下。

(2) 擴(kuò)散

使用液態(tài)磷源(三氯氧磷)/硼源(硼酸三甲酯等)在高溫作用下在硅片表面擴(kuò)散沉積，主要作用是形成電池的 PN 結(jié)，根據(jù)摻雜元素的不同分為磷擴(kuò)散和 硼擴(kuò)散，其中P型硅片采用磷擴(kuò)散，N 型硅片需進(jìn)行硼擴(kuò)散。由于硼原子在硅中 的固溶度較低，因此其擴(kuò)散難度比磷擴(kuò)散更高，溫度需要達(dá)到 950-1050℃，成膜時(shí)間達(dá)到 240min。因此 N 型電池所需成本更高，制備難度更大。

(3) 刻蝕

擴(kuò)散過(guò)程中磷(硼)會(huì)與硅形成磷硅玻璃層 PSG(或硼硅玻璃層 BSG),為富含磷元素的二氧化硅層，對(duì)后續(xù)工藝產(chǎn)生不良影響，并且可能導(dǎo)致 PN 結(jié)漏電，因 此需要使用化學(xué)試劑對(duì) PSG(BSG)層進(jìn)行刻蝕清洗。

(4) 鍍膜

鍍膜是光伏電池制備中的重要工藝，光伏電池根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，鈍化膜層的種類較多，不同材料的膜層需要使用不同的鍍膜方法進(jìn)行制備。主要方法可分為 物理氣相沉積 PVD、化學(xué)氣相沉積 CVD、原子層沉積 ALD。在光伏行業(yè)中應(yīng)用 較多的包括 PECVD, ALD, LPCVD, PVD 等技術(shù)。

PECVD(等離子體化學(xué)氣象沉積): 借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的 氣體，在局部形成等活性較強(qiáng)的離子體，在基片上沉積出薄膜。主要用于制備氮 化硅，氧化鋁及非晶硅膜層中，在 PERC, TOPcon, HJT, P-IBC 電池技術(shù)中均有應(yīng) 用。ALD(原子層沉積):通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種方法。主要用于制備氧化鋁膜層，應(yīng)用于 PERC, TOPcon 和 P-IBC 技術(shù)。

LPCVD(低壓化學(xué)氣象沉積)：用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基 片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜，主要用于制備二氧化硅和摻雜多晶硅層， 應(yīng)用于 TOPcon 和 P-IBC 技術(shù)。PVD(物理氣象沉積):在真空條件下，采用大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體 放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，利用電場(chǎng)的加速作用，使被 蒸發(fā)物質(zhì)及其反應(yīng)產(chǎn)物沉積。主要用于制備透明導(dǎo)電膜，應(yīng)用于 HJT 技術(shù)。

(5) 激光

激光的作用主要包括激光摻雜和激光開鑿。激光摻雜(SE)用于電池表現(xiàn)選擇 性摻雜;激光消融用于電池背面局部膜層開槽，使背場(chǎng)與硅基底形成局部接觸。

(6) 絲印燒結(jié)

光伏電池表面膜層不具備收集電子及空穴的能力，因此需要在電池的正背面 印刷銀漿或鋁漿，并通過(guò)高溫?zé)Y(jié)形成良好的金屬半導(dǎo)體接觸，將光生載流子導(dǎo) 出至外電路中形成電流。

由于電池技術(shù)的的升級(jí)，工藝和設(shè)備變得更加復(fù)雜，初始投資成本更高，其 中 TOPcon, P-IBC的設(shè)備投資成本較為接近，較 PERC增加 9000 萬(wàn)元/GW 左右， 而 HJT 設(shè)備較貴，約為 PERC 設(shè)備的 3 倍。PERC 電池工藝流程包括清洗制絨，磷擴(kuò)散，激光摻雜 SE,刻蝕，鍍氮化硅 膜，氧化鋁膜，激光開槽和絲網(wǎng)印刷，總體設(shè)備投資 1.2-1.6 億元/GW, 按照 7 年 折舊計(jì)算，折合設(shè)備成本 0.019 元/W。

TOPcon 電池由于需要使用 N 型硅片，并增加了二氧化硅隧穿層和多晶硅膜， 因此在 PERC 電池設(shè)備的基礎(chǔ)上增加了硼擴(kuò)散，LPCVD 和鍍膜清洗設(shè)備，減少 了激光設(shè)備，整體投資在 2.1-2.5 億元/GW, 按照 7 年折舊計(jì)算，折合設(shè)備成本0.031 元/W,較 PERC 高 0.012 元/W。

P-IBC 電池工藝依舊使用的是 P 型硅片，但增加了二氧化硅隧穿層，多晶硅 膜，并對(duì)激光設(shè)備進(jìn)行了升級(jí)，因此在 PERC 電池設(shè)備的基礎(chǔ)上增加了 LPCVD， 鍍膜清洗設(shè)備，并對(duì)激光設(shè)備進(jìn)行了升級(jí)，整體投資在 2.2-2.6 億元/GW, 按照 7 年折舊計(jì)算，折合設(shè)備成本 0.033 元/W,較 PERC 高 0.014 元/W。HJT 設(shè)備與其他電池技術(shù)不兼容，主要包括制絨，PECVD，PVD 和絲網(wǎng)印 刷設(shè)備，總投資 3.8-4.5 億元，按照 7 年折舊計(jì)算，折合設(shè)備成本 0.057 元/W, 設(shè) 備成本較高。

4 生產(chǎn)成本：產(chǎn)品性價(jià)比決定擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏

成本是企業(yè)在進(jìn)行新技術(shù)路線選擇時(shí)的核心考量因素。以 PERC 技術(shù)組件端 總成本作為參考標(biāo)準(zhǔn)，在假設(shè)條件下，TOPcon 較 PERC 成本高 0.04 元/W, P-IBC 成本與 PERC 幾乎持平，HJT 成本高出 0.14 元/W。考慮高效組件 0.1 元左右的溢價(jià)，TOPcon 與 P-IBC 電池目前均已具備量產(chǎn)性價(jià)比。

假設(shè)條件：理想狀態(tài)下 PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 的效率分別為 23.50%， 24.80%，24.95%，24.80%，良率分別為 98.5%，96.5%，97.5%，95.0%。

硅片端：硅片端成本差異主要來(lái)源于基地材料的選擇和硅片的厚度。硅片材料方面 TOPcon 和 HJT 使用 N 型硅片，PERC 和 P-IBC 使用 P 型硅片，硅片厚 度方面 TOPcon, PERC, P-IBC 均采用高溫工藝，使用厚度為 160μm 的硅片，HJT 低溫工藝可使用150μm硅片。N型硅片價(jià)格較P型高5-8%，則PERC，TOPcon， HJT，P-IBC 硅片端成本分別為 0.78、0.80、0.78、0.77 元/W。

電池端：電池端成本差異主要來(lái)源于銀漿耗量和設(shè)備折舊。銀漿耗量方面 PERC，TOPcon，HJT，P-IBC分別為80、120、165、80 mg/片，設(shè)備投資分別為 1.3、2.1、3.8、2.2 億元/GW。則 PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 電池端綜合成本 分別為 0.94、1.00、1.11、0.96 元/W。

組件端：組件端成本差異主要來(lái)源于組件功率和非硅成本。按照 PERC， TOPcon，HJT，P-IBC功率分別為 550、570、575、570W 計(jì)算，組件端綜合成本 分別為 1.56、1.60、1.70、1.56 元/W。

從最終組件端綜合成本來(lái)看，當(dāng)前 P-IBC 電池已經(jīng)具備成本優(yōu)勢(shì)，TOPcon 成本較 PERC 稍高，HJT 電池成本還需進(jìn)一步下降。溢價(jià)：TOPcon 高效組件產(chǎn)品溢價(jià)約為 0.1 元/W。新型產(chǎn)品性價(jià)比除了考慮 絕對(duì)成本優(yōu)勢(shì)外，還需考慮高功率溢價(jià)優(yōu)勢(shì)。參考PVinfolink數(shù)據(jù)，2017-2020年 間，單晶組件相對(duì)于多晶組件長(zhǎng)期保持 8%-10%的價(jià)格溢價(jià)，大尺寸(182及 210) 高功率組件產(chǎn)品相對(duì)于常規(guī)功率組件也能保持一定溢價(jià)。

根據(jù)湖南省電力設(shè)計(jì)院測(cè)算，TOPcon 組件由于具有更高的轉(zhuǎn)換效率，低溫 度系數(shù)，雙面率和弱光響應(yīng)能力，因此具有更高的發(fā)電小時(shí)數(shù)，能夠有效節(jié)省安 裝費(fèi)，支架，樁基，線纜等系統(tǒng) BOS 成本。按照 TOPcon 組件相對(duì) PERC 組件溢 價(jià) 0.15 元/W 進(jìn)行測(cè)算，其度電成本 LCOE 仍然能夠比 PERC 系統(tǒng)低 1.35%，高效優(yōu)勢(shì)突出。從歷史經(jīng)驗(yàn)和最新中標(biāo)結(jié)果來(lái)看，由于高效產(chǎn)品單位面積內(nèi)功率更高，能夠?yàn)殡娬究蛻艄?jié)約 BOS 成本并降低度電成本 LCOE, 因此售價(jià)方面能夠享受一定溢價(jià)。綜合考慮下，TOPcon 與 P-IBC 當(dāng)前已具備擴(kuò)產(chǎn)性價(jià)比，產(chǎn)能方面有望快速放量。

5 擴(kuò)張趨勢(shì)：短期內(nèi) TOPcon 與 P-IBC 有望快速放量

2022 年將以 TOPcon 放量為主，新建產(chǎn)能會(huì)優(yōu)先考慮 N 型 TOPcon 電池技 術(shù)。TOPcon 電池作為一種大眾化的技術(shù)路線，已經(jīng)具備量產(chǎn)性價(jià)比，2022 年會(huì) 率先大規(guī)模上量。晶科能源是 N 型 TOPcon 技術(shù)領(lǐng)頭軍，合肥及尖山共 16GW 項(xiàng) 目即將完成爬坡滿產(chǎn)，預(yù)計(jì)全年 TOPcon 組件出貨量將達(dá)到 10GW。晶科能源上半年的產(chǎn)能爬坡情況將影響后續(xù)行業(yè)對(duì) N 型 TOPcon 的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括晶澳，天 合，鈞達(dá)，通威在內(nèi)主流企業(yè)均有 TOPcon 相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。預(yù)計(jì) 22 年新上 TOPcon 產(chǎn)能將達(dá)到 49.8GW(包括在建和招標(biāo)中的項(xiàng)目)，TOPcon 大規(guī)模產(chǎn)業(yè) 化將于今年爆發(fā)。

隆基是 P-IBC 技術(shù)領(lǐng)軍者，結(jié)合上下游硅片及組件端優(yōu)勢(shì)形成 P-IBC 技術(shù) 護(hù)城河。P-IBC 技術(shù)結(jié)合 P 型 TOPcon 和 IBC 工藝，對(duì)上下游配套要求較高，一 方面要求使用高體少子壽命硅片，另一方面需要優(yōu)化組件焊接端匹配電池背面指 交叉柵線，對(duì)一體化企業(yè)規(guī)模和研發(fā)能力要求較高，因此其他企業(yè)在技術(shù)跟隨方 面存在一定難度。目前隆基泰州正在進(jìn)行 4GW 新技術(shù)廠房改建，預(yù)計(jì) 8 月份建 成投產(chǎn)，西咸共 15GW 產(chǎn)能也將采用新技術(shù)，預(yù)計(jì)將于 9 月開始陸續(xù)投產(chǎn)。

異質(zhì)結(jié)電池新舊玩家眾多，短期還需進(jìn)一步降低成本，長(zhǎng)期有望形成統(tǒng)一 技術(shù)路線。截至 2021 年底國(guó)內(nèi) HJT 產(chǎn)能約為 5.57GW，2022 年待建產(chǎn)能 4.8GW,2022 年底至少具備 10GW 的異質(zhì)結(jié)產(chǎn)能。

國(guó)內(nèi)參與企業(yè)主要有兩類，一 是傳統(tǒng)電池企業(yè)布局異質(zhì)結(jié)：通威，阿特斯，東方日升，晶澳，隆基，愛(ài)旭等。傳統(tǒng)企業(yè)除通威 1GW 產(chǎn)能以外，其他均以試驗(yàn)線為主。

二是新進(jìn)入企業(yè)布局異質(zhì)結(jié)，華晟，晉能，明陽(yáng)智能，金剛玻璃等。新進(jìn)入企業(yè)以安徽華晟為代表，異 質(zhì)結(jié)產(chǎn)能均超 1GW,以期借助技術(shù)迭代實(shí)現(xiàn)彎道超車。當(dāng)前制約 HJT 發(fā)展的主要 原因是成本問(wèn)題，目前 HJT設(shè)備，漿料，薄片化，高效率四大降本路徑較為清晰， 待降本落地后， HJT 大時(shí)代將正式開啟。

TOPcon, P-IBC 技術(shù)已具備擴(kuò)產(chǎn)性價(jià)比，短期內(nèi)將針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景并行發(fā) 展，HJT電池高成本問(wèn)題解決后有望形成統(tǒng)一技術(shù)路線。結(jié)合不同技術(shù)路線發(fā) 展背景，成本，效率，良率，雙面率，設(shè)備兼容性，工藝復(fù)雜程度，應(yīng)用場(chǎng)景等 因素，我們認(rèn)為短期看 TOPcon 與 P-IBC 電池將通過(guò)差異化市場(chǎng)需求并行發(fā)展， 長(zhǎng)期將由 HJT 技術(shù)形成統(tǒng)一路線，擴(kuò)產(chǎn)節(jié)點(diǎn)取決于其提效降本技術(shù)落地情況，需跟蹤關(guān)注 HJT 設(shè)備，金屬化技術(shù)降本進(jìn)展。

6、投資分析

新型電池產(chǎn)業(yè)化趨勢(shì)逐漸清晰，行業(yè)格局初現(xiàn)雛形。技術(shù)迭代周期行業(yè)格局 易發(fā)生改變，當(dāng)前頭部企業(yè)在技術(shù)路線選擇和擴(kuò)產(chǎn)時(shí)間及規(guī)模的把握上更加謹(jǐn)慎， 先進(jìn)入者有望享受超額收益。TOPcon 作為大眾化技術(shù)路線，當(dāng)前已經(jīng)經(jīng)歷了實(shí) 驗(yàn)室研發(fā)和中試階段的驗(yàn)證，正在進(jìn)入規(guī)模化量產(chǎn)階段。P-IBC 方面以隆基為領(lǐng)先企業(yè)，結(jié)合 P 型 TOPcon 和 IBC 工藝，以及隆基在高體少子壽命硅片和組件端 上下游優(yōu)勢(shì)，也已經(jīng)具備較強(qiáng)的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，新技術(shù)規(guī)模化量產(chǎn)時(shí)代正在到來(lái)。

6.1 公司A

N 型TOPCon 技術(shù)先行者，率先受益 N 型溢價(jià)。電池效率方面，2022 年 4 月，A能源 N 型 TOPCon 電池轉(zhuǎn)化效率再次突破去年 10 月創(chuàng)造的 25.4%的世 界紀(jì)錄，轉(zhuǎn)化效率已達(dá)到 25.7%，技術(shù)方面再一次取得重大突破。量產(chǎn)效率方面， 公司目前N型TOPCon產(chǎn)品的量產(chǎn)轉(zhuǎn)化效率已達(dá) 24.6%，計(jì)劃 2022年末達(dá)到 25%， 未來(lái)有望持續(xù)領(lǐng)先行業(yè)。產(chǎn)能建設(shè)方面，2022 年 1 月，安徽A能源一期 8GW 的 N 型 TOPCon 電池產(chǎn)能投產(chǎn);2022 年 2 月，海寧基地 8GW 的 N 型 TOPCon 電 池產(chǎn)能投產(chǎn)，目前 16GW 產(chǎn)能爬坡已接近尾聲，N 型電池量化投產(chǎn)領(lǐng)先行業(yè)，有望率先受享受 TOPcon 電池溢價(jià)。電池產(chǎn)能短板逐漸彌補(bǔ)，一體化趨勢(shì)顯著。公司 2021 年硅片/電池/組件名義 產(chǎn)能分別為 32.5/24/45GW，預(yù)計(jì) 2022 年將達(dá)到 55/55/60GW，制造端一體化趨勢(shì) 顯著，隨著一體化程度逐步完善，公司盈利能力將隨之穩(wěn)定提高。

6.2 公司B

掌握核心技術(shù)，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。公司始終將加強(qiáng)科技研發(fā)和創(chuàng)新的投入力度 作為業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的核心要素，公司異質(zhì)結(jié)電池的光電轉(zhuǎn)換效率多次打破世界紀(jì)錄， 多項(xiàng)技術(shù)與產(chǎn)品處于行業(yè)領(lǐng)先地位，構(gòu)建了具備全球競(jìng)爭(zhēng)力的研發(fā)體系。公司在 P-IBC 技術(shù)上領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)突出，目前在泰州正在進(jìn)行 4GW 新技術(shù)廠房改建，預(yù) 計(jì) 8 月份建成投產(chǎn)，西咸共 15GW 新技術(shù)產(chǎn)能預(yù)計(jì)將于 9 月開始陸續(xù)投產(chǎn)新電池 技術(shù)能夠充分發(fā)揮公司在 P 型高效硅片上的優(yōu)勢(shì)，打造技術(shù)護(hù)城河。各環(huán)節(jié)產(chǎn)能快速增長(zhǎng)，一體化程度逐步加深。

截至 2021 年底，公司單晶硅 片產(chǎn)能達(dá)到 105GW,單晶電池產(chǎn)能達(dá)到 37GW，單晶組件產(chǎn)能達(dá)到 60GW。預(yù)計(jì) 到 2022 年底，公司硅片，電池，組件產(chǎn)能將分別達(dá)到 150GW,60GW,85GW,生產(chǎn) 規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，智能化水平不斷提升，一體化程度逐步加深。

6.3 C科技

新型電池技術(shù)穩(wěn)步推進(jìn)，新產(chǎn)品亮相閃耀市場(chǎng)。公司以技術(shù)研發(fā)為基礎(chǔ)，市 場(chǎng)需求為導(dǎo)向，持續(xù)加大研發(fā)力度，強(qiáng)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)。公司于 5 月 18 日發(fā)布 DeepBule 4.0x 新產(chǎn)品，結(jié)合 N 型 TOPcon 電池技術(shù)和組件零間距互聯(lián)技術(shù),78 版 型組件最高功率達(dá)到 625W，組件最高效率為 22.4%。除高效率外，新產(chǎn)品多項(xiàng) 技術(shù)指標(biāo)優(yōu)勢(shì)突出，首年衰減<1%,逐年衰減<0.4%，30 年組件發(fā)電增益高達(dá) 1.8%;溫度系數(shù)-0.3%/℃，高溫地區(qū)發(fā)電量增益2%;雙面率80%，較P型高10%， 功率輸出高 0.9%;弱光發(fā)電增益 0.2%。新產(chǎn)品產(chǎn)能擴(kuò)張方面，預(yù)計(jì) 2022 年 Q2公司 N型 TOPcon 產(chǎn)能將達(dá)到 1.3GW, 2022 年底 6.5GW, 2023 年儲(chǔ)備產(chǎn)能達(dá)到 15GW。新技術(shù)產(chǎn)能的逐步投放有望為公 司帶來(lái)超額收益。

6.4 公司D

210 大尺寸技術(shù)龍頭，積極布局 N 型技術(shù)。公司自 2015 年開始布局 TOPCon 電池研發(fā)，通過(guò) 6 年的技術(shù)積累和突破，開創(chuàng)了 210 大尺寸 N 型電池新時(shí)代，有 效推動(dòng)行業(yè)降本增效。公司 210 i-TOPcon 電池最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 25.5%，創(chuàng)造 n 型大面積產(chǎn)業(yè)化 i-TOPcon 電池的世界記錄。在產(chǎn)能建設(shè)方面，公司宿遷 8GW TOPcon 電池項(xiàng)目于 2022 年 4 月 8 日啟動(dòng)，計(jì)劃在下半年投產(chǎn)，屆時(shí)將進(jìn)一步推 動(dòng)行業(yè)由 P 型向 N 型商業(yè)化產(chǎn)業(yè)升級(jí)。