黨的十九屆五中全會提出：“要堅(jiān)持創(chuàng)新在我國現(xiàn)代化建設(shè)全局中的核心地位，把科技自立自強(qiáng)作為國家發(fā)展的戰(zhàn)略支撐。”

　　Ø國家發(fā)改委在《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點(diǎn)增長極的指導(dǎo)意見》中明確提出“要加快IGBT等核心技術(shù)部件研發(fā)”。

　　Ø國家電網(wǎng)公司在2020年科技創(chuàng)新大會上提出“要著力增強(qiáng)原始創(chuàng)新能力，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控”，并在其發(fā)布的《新興產(chǎn)業(yè)集群培育的指導(dǎo)意見》中進(jìn)一步明確重點(diǎn)拓展IGBT等新興業(yè)務(wù)。

　　由此可見：無論是國家層面、還是行業(yè)層面，都將IGBT領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新放在了發(fā)展的核心地位。

　　一、什么是IGBT

　　絕緣柵雙極型晶體管(Insulate Gate Bipolar Transistor, IGBT) 是為解決金屬—氧化物半 導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管在高壓應(yīng)用時(shí)的導(dǎo)通損耗與耐壓水平之間的矛盾，由通用電氣公司和美國無線電公司在1982年提出的一種新型結(jié)構(gòu)器件。經(jīng)過30 多年的發(fā)展，IGBT技術(shù)持續(xù)改進(jìn)，實(shí)現(xiàn)了在功率變換領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

　　作為智能電網(wǎng)、軌道交通、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域的技術(shù)熱點(diǎn)，在較長一段時(shí)間內(nèi)，IGBT核心技術(shù)都由國外相關(guān)機(jī)構(gòu)和企業(yè)把持。近些年，中國在此領(lǐng)域雖取得了長足的進(jìn)步，但也存在一些“卡脖子”技術(shù)和研究空白，需要重點(diǎn)開展科研攻關(guān)。

　　經(jīng)過多年的發(fā)展，IGBT器件領(lǐng)域已經(jīng)積累了大量的專利，專利信息是一種高度標(biāo)準(zhǔn)化的技術(shù)法律信息，無論是專利類別劃分，還是文體結(jié)構(gòu)及句法結(jié)構(gòu)，都有相對可循的規(guī)律。對IGBT專利的全景分析既可以了解目前國內(nèi)外對此領(lǐng)域的專利研究現(xiàn)狀，也可以提升IGBT專利質(zhì)量，激發(fā)創(chuàng)新能力，探究未來發(fā)展趨勢，有利于企業(yè)制定發(fā)展策略。

　　二、《絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專利全景分析報(bào)告》

　　由英大傳媒集團(tuán)中國電力百科網(wǎng)運(yùn)營團(tuán)隊(duì)策劃并牽頭編制的第一款技術(shù)咨詢研究報(bào)告——《絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專利全景分析報(bào)告》，即將于2021年3月正式發(fā)布!報(bào)告由國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院等權(quán)威研究機(jī)構(gòu)提供專家指導(dǎo)、中國電力百科網(wǎng)(www.ceppedu.com)、德溫特創(chuàng)新平臺(www.derwentinnovation.com)提供數(shù)據(jù)和工具支持。

　　Ø IGBT技術(shù)領(lǐng)域最新、最全專利分析報(bào)告

　　Ø 內(nèi)容豐富、數(shù)據(jù)詳實(shí)、分析全面、方法新穎

　　Ø 形成了全方位、多角度、專業(yè)化的研究結(jié)論

　　Ø 可為國內(nèi)外相關(guān)政府部門、科研院所、企業(yè)、高校等提供有益參考

　　本報(bào)告通過制定IGBT 整體檢索和分析方案，對IGBT全球范圍內(nèi)的專利信息進(jìn)行深度檢索，從專利授權(quán)活動(dòng)、實(shí)體動(dòng)態(tài)、技術(shù)分析等角度全面分析、洞察專利授權(quán)的趨勢，并對專利技術(shù)分支進(jìn)行多維度統(tǒng)計(jì)分析，形成全方位、多角度、專業(yè)化的研究結(jié)論。

　　三、報(bào)告的作用

　　(1)全面了解IGBT 技術(shù)的最新發(fā)展趨勢和技術(shù)布局，分析指導(dǎo)發(fā)展方向，把技術(shù)空白或布局薄弱處作為突破口，為企業(yè)構(gòu)筑核心競爭力。

　　(2)有效規(guī)避相同的發(fā)明點(diǎn)，避免在研發(fā)過程中的各種潛在風(fēng)險(xiǎn)，從而優(yōu)化企業(yè)專利布局，更好地保護(hù)自有知識產(chǎn)權(quán)。

　　(3)深入了解IGBT領(lǐng)域的主要競爭對手及其發(fā)展方向，從而制定相應(yīng)策略，出具競爭方案，為企業(yè)自身制定未來的專利和市場對抗戰(zhàn)略提供有利的依據(jù)。

　　四、報(bào)告的亮點(diǎn)

　　1.優(yōu)化的檢索策略

　　(1)檢索范圍大：包含在全球范圍內(nèi)公開的，在標(biāo)題、摘要或權(quán)利要求中涉及“絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、快恢復(fù)二極管(FRD)以及續(xù)流二極管(FWD)”的近 20 年(從 2000 年 1 月 1 日起首次提交的)專利數(shù)據(jù)，在初步檢索基礎(chǔ)上，進(jìn)行了大范圍去噪，并通過與專家協(xié)商進(jìn)行重查、清理和確認(rèn)，最終得到檢索結(jié)果為10259個(gè)專利家族，以此作為IGBT技術(shù)領(lǐng)域研究的專利集合，并通過分析每個(gè)專利家族的一篇專利公開代表進(jìn)行全景分析。

　　(2)檢索要素全：使用關(guān)鍵詞及其變體，在德溫特創(chuàng)新平臺(Derwent Innovation)和中國電力百科網(wǎng)中，用其包含的多種分類方式及其組合(包括IPC、CPC和DWPI手工代碼)進(jìn)行綜合檢索。

　　(3)檢索策略新：采用了關(guān)鍵詞與分類號、關(guān)鍵詞與關(guān)鍵詞等相關(guān)策略，最終確定了28個(gè)檢索策略，其中主要檢索策略包括：

　　Ø 檢索在標(biāo)題、摘要、權(quán)利要求等重要分類中主要討論IGBT的專利。

　　Ø 檢索幾種不同類型的IGBT(例如 COMFET、MOSIGT、GEMFET)。

　　Ø 檢索主要討論高壓二極管或功率二極管，例如快恢復(fù)二極管、續(xù)流二極管或晶閘管、并且提到了這些器件同時(shí)適用于IGBT的專利。

　　Ø 檢索集中于功率半導(dǎo)體器件的專利，其提到了在IGBT 技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用。

　　2.完善的分析方法

　　通過技術(shù)關(guān)鍵詞和技術(shù)分類體系對每個(gè)子分類進(jìn)行單獨(dú)的檢索，將最終的集合細(xì)分到最小分類中，并基于最終分類的專利集合，生成分析框架，在專利授權(quán)趨勢、實(shí)體動(dòng)態(tài)、技術(shù)分析等維度上，以可視化方式突出顯示專利全景分析的重要結(jié)論。

　　3.采用“發(fā)明”這一概念進(jìn)行專利分析

　　Ø 報(bào)告采用“發(fā)明”作為每個(gè)專利記錄的定義。

　　Ø “發(fā)明”不是單獨(dú)的專利公開文獻(xiàn)，而是包括了同一個(gè)專利家族的相關(guān)專利申請和授權(quán)專利。

　　Ø 采用“發(fā)明”這一概念進(jìn)行專利分析，為 IGBT 技術(shù)領(lǐng)域?qū)嶓w的發(fā)明活躍度等指標(biāo)提供了更準(zhǔn)確的測定，并能夠?qū)Ρ榧霸擃I(lǐng)域的總體創(chuàng)新水平提供更真實(shí)的描述。

　　Ø 為了進(jìn)行統(tǒng)一的分析，專利全景分析中使用每個(gè)專利家族第一次提出專利申請的日期作為分析的基礎(chǔ)。

　　五、報(bào)告內(nèi)容概覽

　　1.報(bào)告給出了IGBT專利集合的專利地圖，如下：

　　IGBT專利集合的專利地圖

　　2.報(bào)告給出了IGBT的技術(shù)分類表，如下(部分)：

　　IGBT的技術(shù)分類表(部分)

　　3.報(bào)告分析了IGBT專利創(chuàng)新趨勢、創(chuàng)新增長率、創(chuàng)新來源、保護(hù)和申請策略、平均專利審查周期及授權(quán)率等專利授權(quán)活動(dòng)內(nèi)容。

　　創(chuàng)新增長率

　　4.報(bào)告分析了專利所有權(quán)動(dòng)態(tài)、第一梯級專利組合及創(chuàng)新增長率、專利強(qiáng)度分布、專利實(shí)體保護(hù)策略、頂級學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)、新興實(shí)體等內(nèi)容，還對國家電網(wǎng)公司在IGBT技術(shù)領(lǐng)域的專利引用和被引用的關(guān)系進(jìn)行了重點(diǎn)闡述。

　　頂級學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)

　　5.報(bào)告對各技術(shù)分類的專利分布、技術(shù)創(chuàng)新增長趨勢、新興技術(shù)、主要參與者的技術(shù)重點(diǎn)、技術(shù)交叉與空白進(jìn)行了詳細(xì)的分析。

　　IGBT分類的增長趨勢

　　六、報(bào)告主要結(jié)論

　　報(bào)告形成的部分結(jié)論如下：

　　(1)總體情況

　　Ø 在2009年至2013年觀察到了發(fā)明活躍性的高增長。自2013年后，本領(lǐng)域的申請數(shù)量趨于穩(wěn)定。

　　Ø 企業(yè)在該領(lǐng)域中貢獻(xiàn)大多數(shù)發(fā)明，而14%的發(fā)明由學(xué)術(shù)和政府研究機(jī)構(gòu)提交。

　　Ø ……

　　(2)創(chuàng)新來源情況

　　Ø 中國在IGBT技術(shù)領(lǐng)域取得了長足的發(fā)展，其中自2014年以來，65%的發(fā)明方案在中國得到了保護(hù)，這表明中國實(shí)體近年對這一領(lǐng)域的強(qiáng)烈關(guān)注。

　　Ø 近年來，來自日本的發(fā)明專利數(shù)量有所減少。

　　Ø 在美國提交的專利獲得授權(quán)的時(shí)間最快，并且在美國提交的專利中幾乎87%已經(jīng)被授權(quán)。

　　Ø ……

　　(3)專利實(shí)體情況

　　Ø 前3位發(fā)明數(shù)量最高的實(shí)體是富士電機(jī)(665項(xiàng))，英飛凌(624項(xiàng))和三菱電機(jī)(363項(xiàng))。

　　Ø 劍橋半導(dǎo)體公司、安森美半導(dǎo)體和古河電氣工業(yè)具有高引用數(shù)量的舊有專利，是影響深遠(yuǎn)的早期創(chuàng)新者。

　　Ø ABB、羅姆半導(dǎo)體、三星電機(jī)、電子科技大學(xué)、東南大學(xué)是該領(lǐng)域的新興實(shí)體，擁有強(qiáng)大的年輕專利組合。

　　Ø ……

　　(4)國家電網(wǎng)公司情況

　　Ø 在電力電子、半導(dǎo)體以及計(jì)算和控制領(lǐng)域，國家電網(wǎng)公司在中國的專利被其他專利引用。

　　Ø ……

　　(5)技術(shù)趨勢

　　Ø 溝槽、硅基 IGBT 和減薄是在 IGBT 分類中發(fā)明數(shù)量最高的主要類別。

　　Ø 溝槽、碳化硅基 IGBT 和載流子存儲層子類在 IGBT 分類內(nèi)顯示出最高的增長。

　　Ø ……

　　(完整結(jié)論請參見報(bào)告全文)

　　七、報(bào)告的獲取方式

　　報(bào)告全文將以紙質(zhì)版和電子版兩種方式發(fā)布，單本定價(jià)150元，發(fā)布時(shí)間初步定于2021年3月。現(xiàn)在正式開始接受預(yù)定。其中：

　　紙質(zhì)版可聯(lián)系英大傳媒集團(tuán)數(shù)字出版中心購買，可接受個(gè)人和團(tuán)體訂購，個(gè)人提前訂購享受優(yōu)惠價(jià)，團(tuán)體訂購享受階梯優(yōu)惠。

　　電子版可通過中國電力百科網(wǎng)PC端(www.ceppedu.com)、移動(dòng)端(電網(wǎng)頭條APP知識頻道)來購買閱讀。中國電力百科網(wǎng)會員單位可享受免費(fèi)在線閱讀。

　　報(bào)告檢索到的近20年的IGBT專利全文(共計(jì)10259篇)已全部錄入到中國電力百科網(wǎng)專利庫中，后期對電百網(wǎng)會員單位開放閱讀和下載。

　　如對報(bào)告的內(nèi)容、獲取方式以及會員單位的開通等問題有疑問，可聯(lián)系我們。

　　聯(lián)系電話：010-63412784

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